Исследование эффективности InGaN/GaN светодиодов
А.А. Евремов, Ю.Т. Ребане, Ю.Г. Шретер
Представлено комплексное исследование механизмов, ограничивающих эффективность InGaN/GaN светодиодов: механизм уменьшения эффективности InGaN/GaN светодиодов при увеличении рабочего тока, влияние перегрева активного слоя на эффективность светодиодов, а также влияние поглощения и рассеяния света, генерируемого в активной области, на вывод света и эффективность InGaN/GaN светодиодов
Categorías:
Año:
2008
Editorial:
Издательство Политехнического университета
Idioma:
russian
Páginas:
119
ISBN 10:
5742220634
ISBN 13:
9785742220633
Archivo:
PDF, 24.49 MB
IPFS:
,
russian, 2008